Дмитрий
Николаевич Наследов родился 12 августа 1903 года в
Киеве, в семье корректора типографии. С 1913 года он обучался в
Киевской гимназии Общества родителей и преподавателей. В 1924 г.
Д.Н.Наследов закончил Киевский институт Народного образования (бывший и
нынешний Киевский университет). Вся его жизнь была посвящена научной и
педагогической деятельности. Научные работы Д.Н. Наследова были связаны с
изучением влияния излучения на материю. Летом 1930 г. На I Всесоюзном съезде физиков академик А.Ф.Иоффе пригласил профессора Д.Н.Наследова и его сотрудников А.П.Александрова, В.М.Тучкевича и П.В.Шаравского работать в ФТИ. С 15 сентября 1930 г. Д.Н.Наследов работает в ЛФТИ и, одновременно, в Физико-механическом институте. В 1931 г. Д.Н.Наследов вместе с А.Ф.Иоффе начал заниматься полупроводниками. | |
В
начале 50-х годов Д.Н. Наследов возглавил в ЛФТИ широкомасштабную работу
по выращиванию кристаллов, комплексному изучению физико-химических и
физических свойств и созданию приборов на основе полупроводников A3B5,
открытых в ЛФТИ в 1950 году Н.А. Горюновой и А.Р. Регелем. В 60-е годы лаборатория, руководимая Д.Н.Наследовым, стала одной из ведущих лабораторий мира по изучению и практическому применению полупроводников A3B5. Профессор Д.Н.Наследов — один из мировых лидеров, силой и духом которого была создана и развита физика и техника полупроводников A3B5. Результаты работ Д.Н.Наследова и сотрудников, руководимой им лаборатории, докладывались на международных конференциях по физике полупроводников: Прага (1960 г.), Эксетер (1962 г.), Париж (1964 г.), Киото (1966 г.), Москва (1968 г.), Варшава (1972 г.), Штутгарт (1974 г.). В 1964 году за фундаментальные исследования, приведшие к созданию полупроводникового квантового генератора, Д.Н.Наследову была присуждена Ленинская премия. В 1974 году он был удостоен Государственной премии СССР. Международная общественность высоко оценила работы Д.Н.Наследова. Он был избран почетным членом Французского физико-химического общества, членом-корреспондентом Академии наук в Майнце (ФРГ), членом редколлегии журналов "Physica Status Solidi (a)" с 1970 г., "Физика и техника полупроводников" с 1967 г. |